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華邦電Q2-Q3續享漲價之惠；38nm DRAM下半年進入量產

2017-06-13萬 惠雯

華邦電(2344) 5月營收創高，月成長4.5%，受惠於記憶體價格上漲，推升Q2營運向上，整體來看，Q3 DRAM/Flash價格仍可望向上漲，可望再有營收向上的動能，而在製程產能上，38nm DRAM下半年進入量產，產能也將在下半年進一步提升。

在產品結構部分，華邦電Q1利基型記憶體占營收44%、行動記憶體占比重15%、快閃記憶體占比重41%；而在應用面，通訊占比重32%、電腦占比重24%、消費性電子占26%、車用以及工控占18%。

華邦電今年也隨DRAM價漲，在利基型記憶體也迎漲價之惠，公司也趁市場價格較有支撐之際，調整客戶以及產品結構，優化獲利表現。今年則看好車用市場以及高容量的產品占比重將上升。

華邦目前為全球前兩大Serial Flash供應商之一，應用在周邊產品、網通產品、消費性電子、行動手持裝置及周邊產品模組、工業電子、車用電子、醫療電子等需求的應用領域。隨著終端產品功能增加、新平台的推出、物聯網、車用電子快速成長，持續推升Flash Memory容量需求提升。

而在支撐Nor flash的需求之一，則是在智慧型手機開始採用AMOLED，再加上供給面成長已控制，使今年Nor flash陷入缺貨狀況，每季價格均可望向上調漲。

華邦電今年資本支出主要投入台中廠的新擴產能，擴產後華邦電目前月產能可從目前的4.4萬片提升至5萬片，另外，資本支出也要做製程的升級。

至於在自主研發的38奈米部分，預計下半年會有較大38奈米的營收貢獻，將是台灣在奈米製程中唯一有自主開發的能力的廠商，相較於目前的46奈米，38奈米可讓每片矽晶圓產出的位元數增加4-5成，另外，華邦電也持續進行2X奈米的研發。