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2017年11月29日

微電子元件界年度最重要會議─國際電子元件大會IEDM將於12月2日~6日在美國舊金山舉行，旺宏電子(2337)今年計有四篇論文入選，其中一篇探討3D NAND創新結構的論文獲得大會評選為「亮點論文」（Highlight Paper），是今年台灣產學研界唯一獲選。旺宏在先進記憶體的研發實力受到國際肯定，也顯示旺宏在當前產業界最關注的3D NAND扮演重要角色。

今年旺宏電子獲選為IEDM「亮點論文」的研究成果，主要是揭露一個嶄新的3D NAND記憶晶胞架構。旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構(Single-Gate Vertical Channel, SGVC)，相較於其他大廠現有技術，以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度。該篇研究成果顯示，旺宏的SGVC只要堆疊十六層，其記憶體密度即可達到現行閘極環繞型結構(Gate All Around,GAA)所堆疊的四十八層效果。此外，因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構，因此可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度，適合於需要頻繁讀取資料的各式應用，低層數的堆疊也有利於製程良率的提升，對於未來發展高密度、高品質的記憶體提供了一個更具競爭力的方案。

旺宏電子自2003年起持續於IEDM發表論文，目前發表的論文數已超過60篇，近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠，目前累積篇數已達6篇之多。IEDM平均每年約有來自全球約600篇論文投稿，最後評選出10個次領域約200篇於會中發表。今年台灣產學研界獲選的論文總計有17篇(以第一作者統計)，包括產業11篇，其中旺宏電子即有4篇入選，以及學研界的6篇。

旺宏電子今年入選的其他三篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，降低3D NAND中相鄰Wordline(WL)的干擾問題，一篇則為探討相變化記憶體所採用選擇器元件(Selector)的材料問題，旺宏研究人員發現，在TeAsGeSi(碲砷鍺矽)四種合成化合物中，若是摻入Se(硒)，可促使Selector具備更佳的電性開關行為，提供了現有相變化記憶體(Phase Change Memory, PCM)所需使用選擇器的一種良好選擇，另一篇則是探究ReRAM元件在高阻態(High Resistance State)的變化機制。