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華邦電(2344)去年受惠於Nor flash強勁的需求成以及產能增加，獲利年增85%，每股獲利達1.54元，展望今年，華邦電樂觀看好新需求以及裝置容量持續增加，供給的成長仍有限，整體供需情況仍將健康發展；而華邦電今年也將投入近年來最高資本支出計劃，將產能持續拉升以及製程的推進，平衡發展DRAM/flash兩大事業為雙成長引擎。

華邦電去年第四季毛利率升至36%的水準，但因為匯損以及費用提升，每股獲利0.49元，較上季獲利下滑；全年每股獲利1.54元，獲利年增85%。

去年資本支出是154億元，今年資本支出是185億元，創新高水準，主要是用做DRAM的製程推進所需，今年產能也會由去年的4.6萬片提升到5.2萬片的水準將平均分配給DRAM以及Flash市場，2019年的產能可達5.4萬片。

在營收比重，利基型DRAM占比重36%、Nor flash占比重52%,行動記憶體占36%；而在應用面，通訊占比重29%、電腦占比重23%、消費性電子占29%、車用以及工控占19%。

在三大產品線，利基型DRAM受惠於每個裝置的記憶體平均容量提升，且新的應用如智慧音箱、AI ASIC、挖礦以及工業4.0的需求，需要消耗更多的利基型DRAM；而在供給的部分，整體DRAM市場今年估供給量約年成長2.8%，但主要的業者增加產能都以高容量4Gb以上的產品為主，至於在華邦電主要的中低容量DRAM市場，則較少供給增加。

至於在flash領域，今年無論在Nor flash以及SLC Nand在需求以及每件裝置的平均容量都有成長，包括在安控、光纖和PC Bios的容量要求提升，其它新應用還包括智慧音箱、耳機、人臉辨識以及車用等等；而在供給的部分，Nor主要釋出新產能的同業以中國業者為主，其它主要的競爭對手不是漸漸退出不然就是將產能控制，而在SLC Nand flash領域，主要的對手都往3D Nand發展，在SLC Nand著墨較少。

而在製程的推進部分，目前華邦電自主開發的3X奈米的DRAM產品出貨量持續往上，2X奈米的開發也在進行中；而flash的製程目前以45奈米的技術研發為主。