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《半導體》力旺晶片指紋IP獲聯電驗證

2017年07月28日 08:18 

【時報記者施蒔穎台北報導】

嵌入式非揮發性快閃記憶體矽智財(eNVM IP)供應商力旺(3529)宣布，最新晶片指紋IP「NeoPUF」已成功布建至聯電(2303)的高階製程平台。力旺表示，這項IP是利用每顆晶片獨一無二的物理特徵發展而出，非常適合應用於物聯網及資料中心等高安全需求領域的硬體保護。

力旺表示，NeoPUF已完成聯電的28奈米 HPC+製程平台的設計定案(tape out)。另外，這項IP也已經獲得聯電55奈米ULP平台的驗證，聯電55奈米ULP eFlash平台的驗證預期也將於近期完成。

力旺業務發展處副總經理何明洲表示：「NeoPUF可以提供客戶全面的安全保護及競爭優勢，我們很高興與聯電合作，將這項IP布建至28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台。」

聯華電子的矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示：「力旺的NeoPUF IP是有助於我們的客戶因應物聯網等資安市場需求，頗受歡迎的一個資源。我們對於這項IP合作的結果感到十分滿意，且此IP將能嘉惠聯電的客戶於28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台採用NeoPUF，解決高性能和超低功耗要求的物聯網應用解決方案。」

(時報資訊)