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IET-KY(4971)針對新廠進度，總經理高永中表示，新廠建築物主體已經完成，第1台MBE機台6月已開始運轉，今年底之前，新廠預計安裝3-5台MBE機台，產能可望增加40-60%，該廠未來可容納16台MBE，將聚焦VCSEL(垂直共振腔面射雷射)以及銻化鎵應用產品；針對後市營運展望，則認為5月營收為今(2018)年谷底，隨著美系大客戶製程轉換以及某間客戶組織調整影響下單影響逐步排除，預期6月營收可望較前月回溫，下半年在新廠開出、新產品出貨帶動下，預期營收可較上半年升溫，且目標全年營收要轉為正成長。

IET成立於2011年，營運主體於美國德州，為三五族化合物半導體磊晶生產商，營收結構中，砷化鎵(GaAs)磊晶片佔62.6%，其終端應用主要為通訊相關如衛星通訊、國防、物聯網、車用相關等，磷化銦(InP)磊晶片21.1%，終端應用多為高頻量測儀器及光電產業，銻化鎵(GaSb)及勞務收入13.9%，銻化鎵應用主要來自國防應用，包括夜視系統等，其餘為其他。

IET今年第2季營收表現遭遇逆風，其中5月營收達3189.9萬元，月減34.70%、年減61.17%，創歷史新低，4月、5月已連續兩個月營收年衰退幅度達雙位數。

高永中表示，5月營收表現不佳，主因為美系大客戶製程由4吋轉為6吋，進而使磊晶需要有相應調整、影響出貨表現，已經某間客戶組織調整(改換CEO)、進行庫存調整，加上美國制裁大陸中興通訊影響客戶下單表現，影響包括砷化鎵以及磷化銦產品出貨。

針對後市營運展望，高永中認為，隨著美系大客戶製程轉換以及某間客戶組織調整影響下單因素逐步排除，預期6月營收可望較前月回溫，下半年在新廠開出、新產品出貨帶動下，預期營收可較上半年升溫。

高永中表示，今年初原本預期今年全年營收目標要成長10-20%，惟第2季發生諸多不利事情，使營收表現受到衝擊，不過因為目前最壞情況已經過去，且包括VCSEL、車用雷達等新產品開發都正常進行，今年在下半年出貨表現回溫下，全年營收目標仍看能轉為正成長。

針對新廠進度，高永中表示，新廠建築物主體已經完成，工廠連外道路也在今年3月完成，第1台MBE機台6月已開始運轉、且第1支銻化鎵晶棒也順利拉出，今年底之前，新廠預計安裝3-5台MBE機台，產能可望增加40-60%，該廠未來可容納16台MBE，將聚焦VCSEL以及銻化鎵應用產品。

高永中表示，今年公司營運發展重點，除了開出新廠產能之外，也將完成發展25GHz的VCSEL量產；並開發1.5-2.5um磷化銦以及銻化鎵紅外線雷射產品；另外在變質磊晶生長技術方面也會持續進行，未來可應用在5G PA、LNA以及紅外偵測器等產品應用。

高永中提到，未來十年公司的發展重心將聚焦光電產品，包括VCSEL以及其他特殊雷射，這些產品對於手持裝置、資料中心、雲端運算、穿戴式感測器、光達，以及泛用型感測都將有關鍵性應用。

高永中說，光電產品能否在業界勝出，關鍵在於MBE技術是否達到高均勻度以及高摻雜度磊晶的要求，而IET很早便耕耘布局MBE，技術已取得領先位置，未來在包括InP-HBT、10G APD、25G VCSEL(資料中心應用)、56G InP PIN、QCL以及RTD等，都具有高度機會。