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《電腦設備》FMS登場，群聯(8299) 高階新晶片亮相

2017年08月08日 10:52 

【時報記者施蒔穎台北報導】

全球最大快閃記憶體技術盛會「2017年快閃記憶體高峰會」(2017 Flash Memory Summit；FMS)即將在美國時間8月8日於聖塔克拉拉正式登場，快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(8299)多項快閃控制晶片包括UFS、SSD等高階新晶片同步亮相，其中UFS超前國際一線大廠，領先發表3.0規格技術設計，更是震撼業界。

群聯在今年下半年全力啟動新一代的3D NAND支援的NAND Flash控制晶片，在FMS國際大展上，基於3D NAND製程之最新高階快閃控制晶片全面亮相，包括有可符合未來5G旗艦智慧型手機最高階UFS 2.1規格的快閃控制晶片PS8313，以及日前在國際記憶體技術論壇JEDEC Mobile & IoT Forum上最新發表的UFS 3.0規格技術設計。在SSD方面，同步推出PCIe G3x4 以及SATA III兩種規格的最高階8通道快閃控制晶片PS3112-E12以及PS3112-S12。

群聯董事長潘健成表示，群聯在智慧型手機嵌入式快閃記憶體市場已取得高市占率，除了做大還要做強，並持續投資先進技術研發，符合高階智慧機種主流規格UFS 2.1雙通道的快閃控制晶片PS8313今日正式亮相，該晶片將引領UFS的讀寫速度推進到SSD等級，並搭配NAND Flash國際大廠最新3D TLC技術，將可提供高階智慧型手機達到最佳容量的性價比。布局次世代進度上，已領先全球同業在今年第3季完成UFS 3.0控制晶片的設計，贏得國際大廠認證先機。

群聯日前於記憶體JEDEC技術論壇上發表最新UFS 3.0控制晶片的設計理念，技術獨步成為2017FMS會展上另一焦點話題。群聯電子技術長馬中迅表示，JEDEC目前正著手進行制定UFS 3.0規格，兩年後將會成為新世代旗艦手機內嵌式記憶體主流規格。依UFS 3.0 Gear 4雙通道頻寬可達2400MB/s，為目前eMMC的6倍，堪比高速PCIe介面。

群聯憑藉自行研發的IP突破高階UFS封裝帶來的挑戰，所發表最新晶片的設計，在速度、功耗、記憶體的支援、製程、價格與時程上皆取得平衡且達到高品質的效率，將於2018下半年正式量產。

SSD快閃控制晶片進展上，潘健成指出，近期在大陸市場爆發SSD黑心晶片事件，讓客戶更瞭解到群聯電子的產品一再強調長期合作、可信賴是何其重要，這也提供了群聯電子擴大SSD市占率的機會。除此之外，技術再向前邁進的新晶片PS3112-E12以及PS3112-S12將是群聯電子深耕高階SSD市場的重要新品，亦醞釀群聯電子下一波的成長機會。

(時報資訊)